Profile:

高升

中共党员，工学博士，副教授，硕士生导师，华润微电子（重庆）有限公司博士后，重庆市电子学会宽禁带半导体材料与器件专委会常务委员，教育部高等研究院重邮-华润微校企人才培养专项负责人。主要从事半导体器件物理及相关功率器件设计和应用等方面的研究，特别是在GaN HEMT热、电及辐射可靠性方面做出了许多创新的工作。在微电子领域IEEE EDL、IEEE TED等权威期刊以第一/通讯作者身份共发表学术论文20余篇，获授权发明专利12项。主持国家自然科学基金、GF173联合基金、重庆市揭榜挂帅、成渝合作基金等省部级专项10项。培养学生获重庆市优秀毕业论文1篇，校级优秀论文2篇。

研究方向

主要研究方向为半导体功率器件设计、制备及可靠性研究。已经形成了从器件设计、工艺开发、测试分析及应用较为完整的体系，涉及第三代半导体GaN、SiC器件等方面的研究。

代表性论文

[1] S. Gao, Y. Huang, H. Zhang, et al. Single-step electron beam evaporation for Schottky/Ohmic drain in GaN-on-Si HEMTs fabrication[J]. IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(12): 2049-2052.  (第一作者)

[2] S. Gao, X. Liu, J. Chen, et al. High breakdown-voltage GaN-based HEMTs on silicon with Ti/Al/Ni/Ti ohmic contacts[J]. IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(4): 481-484. (第一作者)

[3] S. Gao, Q. Zhou, X. Liu, et al. Breakdown enhancement and current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMT by NiOx/SiNx and Al2O3/SiNx as gate dielectric layer and passivation layer[J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(12): 1921-1924. (第一作者)

[4] S. Gao, Q. Zhou, X. Li, et al. A method for obtaining the real off-state breakdown voltage of AlGaN/GaN MIS-HEMTs in on-wafer tests by optimizing protective layer[J]. IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2019, 7: 902-907. (第一作者)

[5] S. Gao, Z. Xie, N. Xiong, et al. CMOS-compatible GaN-based high electron mobility transistors with gate-first technology[J]. Microelectronic Engineering, 2022, 264: 111860. (第一作者)

[6] S. Gao, X. Zhang, Q. Wang, et al. Asymmetric Trench SiC MOSFET With Integrated Channel Accumulation Diode for Enhanced Reverse Conduction and Switching Characteristics[J]. Microelectronics Journal, 2024, 153: 106436. (第一作者)

[7] S. Gao, Y. Wu, X. Luo, et al. Single-Step Electron Beam Evaporation for Integrated Dual-Metal Gate and Gate Field-Plate in GaN-on-Si MIS-HEMTs[J]. Microelectronics Journal, 2025, 159: 106663. (第一作者)

[8] S Gao*, X Li, L Jing, et al. Single-Event Burnout Hardening in p-GaN HEMTs through Comb-Patterned N-AlGaN Channel Engineering[J]. Microelectronics Journal, 2026, 170: 107094. (第一兼通讯作者)

[9] X Li, X Luo, Y Wu, S Gao*, et al. Radiation-Hardened Architectural Design for p-GaN HEMT Incorporating Dual-PN-Junction Field-Effect Modulation[J]. Nuclear Technology, 2025, 1: 1-13. (通讯作者)

[10] X Luo, Y Wu, Y Zuo, S Gao*. Single-Event Burnout Hardening in p-GaN HEMTs: An Embedded Polarization-Modulated Composite Barrier Layer Approach[J]. Microelectronics Journal, 2025, 165: 106842. (通讯作者)

代表性科研项目

[1] 国家自然科学基金，氮化镓功率器件单粒子辐射损伤机理及加固结构研究，项目负责人，在研；

[2] GF173联合基金，超低损耗氮化镓XXX同传技术，项目负责人，在研；

[3] 重庆市技术创新与应用发展重大专项（2023年），新能源汽车电气系统关键芯片技术研究与产业化，课题负责人，在研；

[4] 重庆市技术创新与应用发展重大专项（2024年），面向宇航应用的抗辐照氮化镓基功率电子材料与器件，单位负责人，在研；

[5] 国家博士后面上项目：氮化镓功率器件抗单粒子烧毁与电场调制协同设计研究，项目负责人，在研。

参研基金项目

[1] 国家科技重大专项-2030专项，面向XXX高压氮化物XXX产业化，项目骨干（排名第6），总经费3996万，在研；

[2] 功率半导体项目产学研合作项目，华润微电子（重庆）有限公司，项目骨干（排名第2），总经费1000万，在研；

科研奖励

[1] 2024年重庆邮电大学自然科学优秀科技成果奖——技术发明奖，新型半导体功率芯片研发及产业化，排名第2；

[2] 2021年中国电子学会集成电路奖学金，排名第1；

招生专业

[1] 学术型硕士：集成电路科学与工程

[2] 专业型硕士：集成电路工程

[3] 工程型硕士：集成电路工程

欢迎本校和外校的研究生加入课题组，欢迎本科生参与课题组的研究。

联系方式：gaosheng@cqupt.edu.cn