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高升

中共党员，工学博士，硕士生导师，华润微电子（重庆）有限公司博士后、主任工程师，重庆市电子学会宽禁带半导体材料与器件专委会常务委员，教育部高等研究院重邮-华润微校企人才培养专项负责人。主要从事半导体器件物理及相关功率器件设计和应用等方面的研究，特别是在GaN HEMT热、电及辐射可靠性方面做出了许多创新的工作。在微电子领域IEEE EDL、IEEE TED等权威期刊共发表学术论文20余篇，获授权发明专利12项。主持国家自然科学基金1项，国家科技创新发展联合基金1项，重庆市揭榜挂帅等省部级专项5项；参与国家06专项1项。

 

研究方向

主要研究方向为半导体功率器件设计、制备及可靠性研究。已经形成了从器件设计、工艺开发、测试分析及应用较为完整的体系，涉及第三代半导体GaN、SiC器件等方面的研究。

 

代表性论文

[1] S. Gao, Y. Huang, H. Zhang, et al. Single-step electron beam evaporation for Schottky/Ohmic drain in GaN-on-Si HEMTs fabrication[J]. IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(12): 2049-2052.  (第一作者)

[2] S. Gao, X. Liu, J. Chen, et al. High breakdown-voltage GaN-based HEMTs on silicon with Ti/Al/Ni/Ti ohmic contacts[J]. IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(4): 481-484. (第一作者)

[3] S. Gao, Q. Zhou, X. Liu, et al. Breakdown enhancement and current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMT by NiOx/SiNx and Al2O3/SiNx as gate dielectric layer and passivation layer[J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(12): 1921-1924. (第一作者)

[4] S. Gao, Q. Zhou, X. Li, et al. A method for obtaining the real off-state breakdown voltage of AlGaN/GaN MIS-HEMTs in on-wafer tests by optimizing protective layer[J]. IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2019, 7: 902-907. (第一作者)

[5] S. Gao, Z. Xie, N. Xiong, et al. CMOS-compatible GaN-based high electron mobility transistors with gate-first technology[J]. Microelectronic Engineering, 2022, 264: 111860. (第一作者)

[6] S. Gao, X. Zhang, Q. Wang, et al. Asymmetric Trench SiC MOSFET With Integrated Channel Accumulation Diode for Enhanced Reverse Conduction and Switching Characteristics[J]. Microelectronics Journal, 2024: 106436. (第一作者)

[7] S. Gao, Y. Wu, X. Luo, et al. Single-Step Electron Beam Evaporation for Integrated Dual-Metal Gate and Gate Field-Plate in GaN-on-Si MIS-HEMTs[J]. Microelectronics Journal, 2025: 106663. (第一作者)

[8] Y. Huang, Y. Wu, S. Gao*, et al. Numerical analysis on the performance enhancement in AlGaN/GaN vertical CAVET with InGaN/AlN/InGaN hybrid current blocking layer[J]. Semiconductor Science and Technology, 2024, 39(11): 5004. (通讯作者)

[9] Y. Huang, X. Wang, S. Gao*, et al. Superjunction 4H-SiC trench-gate IGBT with an integrated clamping PN diode[J]. Journal of China Universities of Posts and Telecommunications, 2024, 31(2): 3. (通讯作者)

[10] Y. Huang, Q. Chen, R. Ma, K. Tang, Q. Wang, H. Zhang, J. Ding, D. Xu, S. Gao*, G. Han. Short-circuit failure modes and mechanism investigation of 1200 V planar SiC MOSFETs[J]. Journal of Semiconductors, 2024, 45(11): 1-8. (通讯作者)

 

主持基金项目

[1] 国家自然科学基金，青年项目，No. 62404026, 在研；

[2] 国家科技创新发展联合基金，XXX，在研；

[3] 重庆市自然科学基金，面上项目，No. CSTB2023NSCQ-MSX0475，在研；

[4] 重庆市教委基金，青年项目，No. KJQN202400609，在研；

[5] 重庆市技术创新与应用发展专项，子课题，No. CSTB2023TIAD-STX0037，在研；

[6] 重庆市技术创新与应用发展专项，揭榜挂帅，No. CSTB2024TIAD-STX0009，在研；

[7] 教育部产学合作协同育人项目，成都芯源系统有限公司，No. HT0120240306，在研；

[8] 重邮博士人才引进基金项目，No. A2023-70，在研；

 

参研基金项目

[1] 国家科技重大专项-06专项，XXX，在研；

[2] 功率半导体项目产学研合作项目，华润微电子（重庆）有限公司，No. HT0120230150J，在研；

科研奖励

[1] 2024年重庆邮电大学自然科学优秀科技成果奖——技术发明奖，新型半导体功率芯片研发及产业化，排名第二；

[2] 2021年中国电子学会集成电路奖学金——一等奖学金，排名第一；

招生专业

[1] 学术型硕士：集成电路科学与工程

[2] 专业型硕士：集成电路工程

[3] 工程型硕士：集成电路工程

 

欢迎本校和外校的研究生加入课题组，欢迎本科生参与课题组的研究。

 

联系方式：gaosheng@cqupt.edu.cn