Profile:

高升

中共党员，工学博士，副教授，博士生导师，入选重庆市巴渝青年学者人才计划，华润微电子（重庆）有限公司博士后，重庆市电子学会宽禁带半导体材料与器件专委会常务委员，教育部高等研究院、中组部专项卓越工程师培养导师，致力于从事半导体器件物理及相关功率器件设计和应用等方面的研究。近年来，主持国家自然科学基金、国家科技创新发展联合基金、重庆市重大专项（课题负责人）、国家博士后面上基金项目、教育部协同育人项目等12项；以骨干核心成员参与国家2030专项1项。在微电子领域IEEE EDL、IEEE TED、IEEE T-DMR等权威期刊发表第一作者/通讯作者论文26篇，获授权中国发明专利12项。近年来，获2021年中国电子学会集成电路一等奖学金1项、2024年重庆邮电大学自然科学优秀科学技术发明奖1项（排名第二）。

研究方向

主要研究方向为半导体功率器件设计、制备及可靠性研究，具体包括：宽禁带半导体器件辐照损伤机理及抗辐照加固设计、人工智能辅助功率半导体器件设计等。

代表性论文

[1] S. Gao*, H. Liu, D Wu, et al. Block-Segmented P-Base Design for Avalanche-Rugged 4H-SiC Double-Trench MOSFETs[J]. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2026. (Accepted)  

[2] S. Gao, X. Liu, J. Chen, et al. High breakdown-voltage GaN-based HEMTs on silicon with Ti/Al/Ni/Ti ohmic contacts[J]. IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(4): 481-484. 

[3] S. Gao, Q. Zhou, X. Liu, et al. Breakdown enhancement and current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMT by NiOx/SiNx and Al2O3/SiNx as gate dielectric layer and passivation layer[J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(12): 1921-1924. 

[4] S. Gao, Y. Huang, H. Zhang, et al. Single-step electron beam evaporation for Schottky/Ohmic drain in GaN-on-Si HEMTs fabrication[J]. IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(12): 2049-2052.

[5] S. Gao, Q. Zhou, X. Li, et al. A method for obtaining the real off-state breakdown voltage of AlGaN/GaN MIS-HEMTs in on-wafer tests by optimizing protective layer[J]. IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2019, 7: 902-907. 

[6] S. Gao*, C. Yang, X. Luo, et al. Enhanced Single Event Burnout Tolerance in p-AlGaN HEMTs Using Low Aluminum Step Graded Buffer Layers[J]. Microelectronics Reliability, 2026, 185 :116280.

[7] S. Gao, Y. Wu, X. Luo, et al. Single-Step Electron Beam Evaporation for Integrated Dual-Metal Gate and Gate Field-Plate in GaN-on-Si MIS-HEMTs[J]. Microelectronics Journal, 2025, 159: 106663. 

[8] S Gao*, X Li, L Jing, et al. Single-Event Burnout Hardening in p-GaN HEMTs through Comb-Patterned N-AlGaN Channel Engineering[J]. Microelectronics Journal, 2026, 170: 107094. 

[9] S. Gao*, J. Yuan, L. Jing, et al. HPM-induced damage mechanisms and protection strategies for AlGaN/GaN HEMTs with graded Al barriers and gate-misaligned designs[J]. Semiconductor Science and Technology, 2026, 41(5): 055027.

[10] 高升*, 张琳, 吴艳君, 王琦, 井亮. 具有NiO异质结和叉指栅柱调制的抗单粒子Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管[J]. 电子与信息学报, 2026, 48(12): 1-12. doi: 10.11999/JEIT260396.

代表性科研项目

[1] 国家自然科学基金，氮化镓功率器件单粒子辐射损伤机理及加固结构研究，项目负责人；

[2] 国家科技创新发展联合基金，超低损耗氮化镓XXX同传技术，项目负责人；

[3] 重庆市技术创新与应用发展重大专项（2023年），新能源汽车电气系统关键芯片技术研究与产业化，重邮负责人；

[4] 重庆市技术创新与应用发展重大专项（2024年），面向宇航应用的抗辐照氮化镓基功率电子材料与器件，重邮负责人；

[5] 国家博士后面上项目：氮化镓功率器件抗单粒子烧毁与电场调制协同设计研究，项目负责人；

代表性教改项目

[1] 重庆市研究生教育教学改革项目：产教融合育人视角下的师生同驻项目制培养机制研究，项目负责人；

[2] 教育部产学合作协同育人项目：基于《高等模拟集成电路设计》课程教学体系建设与改革研究，项目负责人；

参研基金项目

[1] 国家科技重大专项-2030专项，面向XXX高压氮化物XXX产业化，项目骨干（排名第6），总经费3996万；

[2] 功率半导体项目产学研合作项目，华润微电子（重庆）有限公司，项目骨干（排名第2），总经费1000万；

科研奖励

[1] 2024年重庆邮电大学自然科学优秀科技成果奖——技术发明奖，新型半导体功率芯片研发及产业化，排名第2；

[2] 2021年中国电子学会集成电路奖学金，排名第1；

学生培养

[1] 优秀毕业论文：

   重庆市优秀毕业论文1篇（刘杭）；

   校级优秀论文3篇（吴东壕、韩雨坤、杜雨婷）；

[2] 竞赛类：

   全国大学生集成电路创新创业大赛全国三等奖1项、西南赛区一等奖1项、西南赛区三等奖1项；

  “华为杯”中国研究生创“芯”大赛全国三等奖1项、华为专项二等奖1项；

  “华为杯”中国研究生学生建模竞赛全国三等奖1项；

   全球校园人工智能算法精英大赛全国三等奖1项、省级二等奖1项；

[3] 毕业去向：

   华润微电子有限公司、华为技术有限公司、杰华特微电子股份有限公司、成都芯源系统股份有限公司、重庆奕能科技有限公司

招生专业

[1] 专业型博士：集成电路工程

[2] 学术型硕士：集成电路科学与工程

[3] 专业型硕士：集成电路工程

欢迎本校和外校的研究生加入课题组，欢迎本科生参与课题组的研究。

联系方式：gaosheng@cqupt.edu.cn