Research Projects
- [1] chenweizhong,chenweizhong,付强(外),廖鹏飞(外),汪静静(学),甘林(学),王婷(学),chenweizhong,付强(外),helijun,廖鹏飞(外),汪静静(学),甘林(学),王婷(学).基于RC-IGBT器件的新结构及模型研究
- [2] chenweizhong,王婷(学),汪静静(学),王婷(学),汪静静(学),wangmingyao,helijun,chenweizhong.基于半超结MOSFET击穿特性的研究
- [3] chenweizhong,汪静静(学),wangting,汪静静(学),wangmingyao,helijun,chenweizhong.基于RC-IGBT负阻效应的模型与新结构研究
- [4] chenweizhong,chenweizhong,helijun,chenweizhong.基于高压MOSFET器件电学性能的研究
- [5] chenweizhong,王婷(学),甘林(学),汪静静(学),廖鹏飞(外),付强(外),chenweizhong,王婷(学),甘林(学),汪静静(学),廖鹏飞(外),helijun,付强(外),chenweizhong.基于分离型RC-IGBT的新结构及模型研究
- [6] chenweizhong,chenweizhong.文峰高端人才引领项目省部级人才后备人选
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